IQE220N15NM5CGATMA1 vs IQE065N10NM5CGSCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE220N15NM5CGATMA1 par Infineon et IQE065N10NM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE220N15NM5CGATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,55 $1,28
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 150 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta [DATA_NEEDED: ID at Ta] —
On-State Resistance RDS(on) max 22 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Boîtier PG-TTFN-9-3 (Source-Down) PG-WHTFN-9-1 (Source-Down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (estimated from Tj max) -55 C to +150 C
Technology Trench MOSFET, OptiMOS 5 OptiMOS 5 trench-gate
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Nombre de broches 9 (TTFN) —
Series — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C — 85 A
Continuous Drain Current (ID) at TA — 13 A
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 6.5 mOhm
Power Dissipation at TA — 2.5 W
Power Dissipation at TC — 100 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Lead-Free — Yes

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