IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQE008N03LM5CGSCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 par Infineon et IQE008N03LM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ ActifInfineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 - 30V 0.85mOhm Dual N-MOSFET | Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 | IQE008N03LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,78 | $2,10 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | OptiMOS 5 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 25 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 54 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 422 A | — |
| RDS(on) Max | 0.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 2 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Boîtier | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) | PG-WHTFN-9 (WHTFN) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (top + bottom cooling) |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Technology | Silicon N-Channel Power MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Continuous Drain Current (ID) Max | — | 252 A (per channel, case-temperature limited) |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 0.85 mOhm at VGS = 10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Nombre de broches | — | 9 (WHTFN with exposed thermal pads) |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon Power-SMD packages) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Sans halogène | — | Yes (Infineon standard for OptiMOS 5) |