IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQE008N03LM5CGSCATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 제조: Infineon 및 IQE008N03LM5CGSCATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 | IQE008N03LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.78 | $2.10 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | OptiMOS 5 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 25 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 54 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 422 A | — |
| RDS(on) Max | 0.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 2 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| 패키지 | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) | PG-WHTFN-9 (WHTFN) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (top + bottom cooling) |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Technology | Silicon N-Channel Power MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Continuous Drain Current (ID) Max | — | 252 A (per channel, case-temperature limited) |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 0.85 mOhm at VGS = 10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| 동작 온도 범위 | — | -55C to +150C (junction) |
| Polarity | — | N-Channel |
| 핀 수 | — | 9 (WHTFN with exposed thermal pads) |
| MSL 레벨 | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon Power-SMD packages) |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| 할로겐 프리 | — | Yes (Infineon standard for OptiMOS 5) |