IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQE020N04LM6CGSCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 par Infineon et IQE020N04LM6CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ ActifInfineon
IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9
IQE020N04LM6CGSCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 | IQE020N04LM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,78 | $1,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 54 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 422 A | — |
| RDS(on) Max | 0.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 2 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Boîtier | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Technology | Silicon N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 6 trench |
| Part Family | — | OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current at TA=25°C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current at TC=25°C | — | 166 A |
| Maximum RDS(on) | — | 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 107 W |
| Nombre de broches | — | 9 |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) |