IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQE020N04LM6CGSCATMA1 比較
詳細な並列比較: IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 メーカー: Infineon および IQE020N04LM6CGSCATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9
IQE020N04LM6CGSCATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 | IQE020N04LM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.78 | $1.65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 54 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 422 A | — |
| RDS(on) Max | 0.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 2 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| パッケージ | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Technology | Silicon N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 6 trench |
| Part Family | — | OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current at TA=25°C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current at TC=25°C | — | 166 A |
| Maximum RDS(on) | — | 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 107 W |
| ピン数 | — | 9 |
| 動作温度範囲 | — | -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSLレベル | — | 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) |