IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs ISC009N06NM6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 par Infineon et ISC009N06NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 - 25V 422A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 | ISC009N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,42 | $0,68 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | OptiMOS 6 60 V |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 54 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 422 A | — |
| Maximum On-Resistance (Rds(on)) | 0.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | +175 degrees C | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 degrees C to +175 degrees C | -55 °C to +175 °C |
| Boîtier | PG-TTFN-9-3 | PG-TDSON-8 (3.3 x 3.3 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 7 (Trench-Gate) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Qualification | Industrial grade per Infineon datasheet | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc=25C | — | 344 A |
| Power Dissition (PD) at Ta=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 221 W |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value at VGS=10 V] |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Niveau MSL | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Sans halogène | — | Yes |
| AEC-Q101 Qualification | — | [DATA_NEEDED: AEC-Q101 status] |