IQEH84NE2LM7UCGATMA1 vs IQEH54NE2LM7UCGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQEH84NE2LM7UCGATMA1 par Infineon et IQEH54NE2LM7UCGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQEH84NE2LM7UCGATMA1 | IQEH54NE2LM7UCGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,49 | $1,95 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 7 (Trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 42 A | 52 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 275 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 107 W | — |
| RDS(on) @ VGS=10 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] | — |
| RDS(on) @ VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | PG-TTFN-9-3 (surface mount, source-down) | PG-TTFN-9-3 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | [DATA_NEEDED: pin count from datasheet pinout] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Switching Application | Hard- and soft-switching | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 406 A |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 150 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (typical MOSFET range) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |