IR2104STRPBF vs IR21271STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2104STRPBF par Infineon et IR21271STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2104STRPBF IR21271STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,59 $1,82
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-side and low-side referenced output channels High-Side or Low-Side
Nombre de sorties 2 (high-side + low-side) 1
Offset Voltage (High-Side, Max) 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ) 0.21 A —
Output Sink Current (typ) 0.36 A —
Rise Time (typ) 100 ns —
Fall Time (typ) 50 ns —
Propagation Delay (typ) 680 ns —
Turn-On Propagation Delay (typ) 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay (typ) 130 ns —
Quiescent Current (VCC/VBS, typ) 150 uA —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V logic —
Shutdown Pin Yes (active-low shutdown input) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Cross-Conduction Prevention Yes (matched propagation delay) —
dV/dt Immunity Yes Yes
Negative VS Transient Tolerance Yes —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +150 C —
Boîtier 8-SOIC (SOIC-8) 8-SOIC (3.90 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant —
Input Polarity — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 9 V to 20 V
High-Side Offset Voltage — 600 V max
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns typical
Temps de montée — [DATA_NEEDED: rise time]
Temps de descente — [DATA_NEEDED: fall time]
Température de fonctionnement — -40C to +125C
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-Free, suffix PBF)
Integrated Current Sense — Yes (CS pin + shutdown)
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

Fiches techniques et ressources

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