IR2104STRPBF vs IR21271STRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IR2104STRPBF 제조: Infineon 및 IR21271STRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IR2104STRPBF IR21271STRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.59 $1.82
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-side and low-side referenced output channels High-Side or Low-Side
출력 수 2 (high-side + low-side) 1
Offset Voltage (High-Side, Max) 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ) 0.21 A —
Output Sink Current (typ) 0.36 A —
Rise Time (typ) 100 ns —
Fall Time (typ) 50 ns —
Propagation Delay (typ) 680 ns —
Turn-On Propagation Delay (typ) 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay (typ) 130 ns —
Quiescent Current (VCC/VBS, typ) 150 uA —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V logic —
Shutdown Pin Yes (active-low shutdown input) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Cross-Conduction Prevention Yes (matched propagation delay) —
dV/dt Immunity Yes Yes
Negative VS Transient Tolerance Yes —
동작 온도 범위 -40 C to +150 C —
패키지 8-SOIC (SOIC-8) 8-SOIC (3.90 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant —
Input Polarity — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 9 V to 20 V
High-Side Offset Voltage — 600 V max
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns typical
상승 시간 — [DATA_NEEDED: rise time]
하강 시간 — [DATA_NEEDED: fall time]
동작 온도 — -40C to +125C
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-Free, suffix PBF)
Integrated Current Sense — Yes (CS pin + shutdown)
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

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