IR2110SPBF vs IRS2110STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2110SPBF par Infineon et IRS2110STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2110SPBF IRS2110STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,98 $1,42
Fonction Half-bridge gate driver —
Topologie High-side and low-side referenced output channels —
Number of Channels 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Logic Type Non-inverting —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 500 V —
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) 10 V to 20 V —
Peak Output Current (source/sink) 2.0 A / 2.0 A —
Typical Propagation Delay (ton/toff) 94 ns / 94 ns —
Rise/Fall Time (typical) 25 ns / 17 ns —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL CMOS/TTL compatible (3.3 V logic compatible)
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, both Vcc and VCC —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Boîtier 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix) 16-pin SOIC Wide-Body (SOIC-WB), Tape and Reel
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix) Lead-Free, RoHS Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (High-Side and Low-Side)
Nombre de sorties — 2
Type de sortie — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 500 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Source/Sink Output Current (typ.) — 2.5 A / 2.5 A
Propagation Delay ton/toff (typ.) — 30 ns / 30 ns
Rise/Fall Time (typ.) — 17 ns / 25 ns
Shutdown Input — Active-low, forces both outputs low
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Température de fonctionnement — -40 C to +150 C
Niveau MSL — 3 (168 hours)

Fiches techniques et ressources

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