IR2110SPBF vs IRS2110STRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR2110SPBF por Infineon e IRS2110STRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR2110SPBF IRS2110STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,98 $1,42
Função Half-bridge gate driver —
Topologia High-side and low-side referenced output channels —
Number of Channels 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Logic Type Non-inverting —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 500 V —
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) 10 V to 20 V —
Peak Output Current (source/sink) 2.0 A / 2.0 A —
Typical Propagation Delay (ton/toff) 94 ns / 94 ns —
Rise/Fall Time (typical) 25 ns / 17 ns —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL CMOS/TTL compatible (3.3 V logic compatible)
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, both Vcc and VCC —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +125 C —
Encapsulamento 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix) 16-pin SOIC Wide-Body (SOIC-WB), Tape and Reel
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix) Lead-Free, RoHS Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (High-Side and Low-Side)
Número de saídas — 2
Tipo de saída — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 500 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Source/Sink Output Current (typ.) — 2.5 A / 2.5 A
Propagation Delay ton/toff (typ.) — 30 ns / 30 ns
Rise/Fall Time (typ.) — 17 ns / 25 ns
Shutdown Input — Active-low, forces both outputs low
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Temperatura de operação — -40 C to +150 C
Nível MSL — 3 (168 hours)

Fichas técnicas e recursos

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