IRF1010ESTRLPBF vs FQP50N06 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF1010ESTRLPBF par Infineon et FQP50N06 par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF1010ESTRLPBF FQP50N06
Marque Infineon onsemi
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $0,58
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET planar Planar Stripe DMOS
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 84 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 200 W —
On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V 12 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 86.6 nC [DATA_NEEDED: Qg]
Operating Mode Enhancement —
Drive Voltage 10 V (standard level) —
Type de montage Surface Mount Through Hole
Boîtier D2PAK (TO-263) TO-220-3 (through-hole)
Qualification JEDEC standard qualified —
Structure Planar cell (wide SOA) —
Avalanche Testing 100% avalanche energy tested —
Sourcing Multi-vendor, broad distribution availability —
Pb-Free / RoHS PBF (Pb-free) suffix —
Manufacturer — onsemi (formerly Fairchild Semiconductor)
Part Number — FQP50N06
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD) at Tc — 120 W
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) max]
On-Resistance Rds(on) typical at VGS=10V — 0.022 ohm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (junction)
Channel Mode — Enhancement
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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