IRF1310NPBF vs IRF3710ZPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF1310NPBF par Infineon et IRF3710ZPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF1310NPBF IRF3710ZPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,98 $0,88
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 36 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC 82 nC (typical)
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs value] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd value] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3 pins)
Type de montage Through Hole Through Hole
Technology HEXFET HEXFET (Advanced Process)
Statut RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant (PBF suffix)
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 59 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 160 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 18 mOhm (typical)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Maximum Junction Operating Temperature — 175 C
Gate Drive Voltage (Optimized) — 10 V
Pin Configuration — G-D-S (Gate-Drain-Source, standard TO-220)
Qualification Standard — JEDEC, Normal Level
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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