IRF1310NPBF vs IRF3710ZPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF1310NPBF por Infineon e IRF3710ZPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF1310NPBF IRF3710ZPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,98 $0,88
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 36 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC 82 nC (typical)
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs value] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd value] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3 pins)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Technology HEXFET HEXFET (Advanced Process)
Status RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant (PBF suffix)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 59 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 160 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 18 mOhm (typical)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Maximum Junction Operating Temperature — 175 C
Gate Drive Voltage (Optimized) — 10 V
Pin Configuration — G-D-S (Gate-Drain-Source, standard TO-220)
Qualification Standard — JEDEC, Normal Level
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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