IRF1310NSTRLPBF vs IPTC039N15NM5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF1310NSTRLPBF par Infineon et IPTC039N15NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPTC039N15NM5ATMA1 - 150V 190A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IPTC039N15NM5ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IRF1310NSTRLPBF | IPTC039N15NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,84 | $4,05 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 36 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 73.3 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 160 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | D2PAK (TO-263AB) | PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | OptiMOS 5 trench |
| Built-in Diode | Yes (intrinsic body diode) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 21 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 190 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 319 W |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 3.9 mOhm |
| Gate Charge Qg typical | — | 74 nC |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | 20 V |
| Température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C (junction) |
| Cooling | — | Top-side cooled (case above PCB) |
| Statut RoHS | — | Compliant |