IRF1310NSTRLPBF vs IRFB4310PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF1310NSTRLPBF par Infineon et IRFB4310PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF1310NSTRLPBF IRFB4310PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,84 $1,95
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm 7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: VGS maximum rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC 170 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C (junction)
Boîtier D2PAK (TO-263AB) TO-220AB (through-hole)
Type de montage Surface Mount Through Hole
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (IR MOSFET)
Built-in Diode Yes (intrinsic body diode) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Configuration Single with built-in diode —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 5.6 mOhm
Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Avalanche Rated — Yes
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes (Pb-free PBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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