IRF150P220AKMA1 vs IRFB4110PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF150P220AKMA1 par Infineon et IRFB4110PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF150P220AKMA1 IRFB4110PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,55 $1,55
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRF150P220AKMA1 —
Technology StrongIRFET HEXFET (planar DMOS)
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS max) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 203 A —
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 2.7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS max) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 556 W —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3.8 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-247-3 (PG-TO247-3) TO-220AB (through-hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Terminal Finish Tin (Sn) —
JESD-609 Code e3 —
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free suffix)
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix denotes Pb-free)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C

Fiches techniques et ressources

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