IRF3205ZSTRLPBF vs IRF1010ZPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF3205ZSTRLPBF par Infineon et IRF1010ZPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF3205ZSTRLPBF IRF1010ZPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,45 $1,36
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 110 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 76 nC 63 nC (typ, per Mouser listing)
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier D2PAK (TO-263) TO-220AB (3-pin + tab), Through Hole
Type de montage Surface Mount Through Hole
Packaging Tape & Reel (left reel) —
Statut RoHS Compliant Compliant (PBF = Pb-free)
Niveau MSL 1 —
Body Diode Avalanche-rated intrinsic —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 75 A (Tc=25C)
Power Dissipation (Pd) at Tc — 140 W (Tc=25C)
On-Resistance (Rds on) Max — [DATA_NEEDED: Rds(on) max at 10V] (typ approx. 7.5 mOhm per Mouser listing)
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Configuration — Single MOSFET
Maximum Junction Temperature — 175 C
Qualification — JEDEC industry standard qualification
Avalanche Rating — Improved repetitive avalanche rated
Lead Status — Lead Free
Gate Threshold Voltage (Vgs th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]

Fiches techniques et ressources

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