IRF520NPBF vs IRFZ44NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF520NPBF par Infineon et IRFZ44NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF520NPBF IRFZ44NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,66 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies —
Series HEXFET —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 9.7 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
R_DS(on) max at V_GS=10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 16.7 nC —
Power Dissipation (P_D) at Tc 48 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-220AB (through-hole) TO-220AB (3-pin + tab)
Type de montage Through Hole Through Hole
Niveau MSL 1 (unlimited) —
Statut RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Technology HEXFET (vertical DMOS) HEXFET (Advanced Process)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 17.5 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 42 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 94 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 62 C/W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

Fiches techniques et ressources

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