IRF640NPBF vs IRF2805PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF640NPBF par Infineon et IRF2805PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF640NPBF IRF2805PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,88 $1,38
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A 75 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 150 mOhm max at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 150 W —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 150 nC
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Technology HEXFET (5th Generation) HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET)
Type de transistor N-Channel Enhancement Mode —
Boîtier TO-220AB (through-hole, 3-pin) TO-220AB (3-pin, through-hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Avalanche Energy Rated Yes —
dv/dt Rating Dynamic, rated —
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF2805PBF
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 175 A (pulsed / package-limited)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.7 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 330 W
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Configuration — Single N-Channel MOSFET

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