IRF7105PBF vs IRF7351TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7105PBF par Infineon et IRF7351TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7105PBF IRF7351TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,61 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7105PBF IRF7351TRPBF
FET Type N-Channel and P-Channel (Dual, Complementary) —
Technology HEXFET (Fifth Generation) IR MOSFET (HEXFET trench)
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) 25 V —
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) 25 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 3.5 A —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 2.3 A —
Total Package Power Dissipation (PD) 2 W —
Boîtier / Format 8-SOIC (SO-8) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
RoHS Compliance Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Qualification Industrial —
Soldering Compatibility Vapor Phase, Infrared, Wave —
dv/dt Rating Dynamic (rated per datasheet) —
Configuration — Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 8 A
On-Resistance RDS(on) max — 17.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) — 0.0137 ohm (13.7 mOhm)
Total Gate Charge (Qg) — 24 nC
Power Dissipation (PD) — 2 W
Boîtier — 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount
Température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Typical Application — Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters
Statut RoHS — Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]

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