IRF7105PBF vs IRF7351TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF7105PBF от Infineon и IRF7351TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF - 60V 8A Dual N-Channel MOSFET SO-8 | Infineon

IRF7351TRPBF - 60V 8A Dual N-Channel MOSFET SO-8 | Infineon

IRF7351TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF7105PBF IRF7351TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,61 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7105PBF IRF7351TRPBF
FET Type N-Channel and P-Channel (Dual, Complementary) —
Technology HEXFET (Fifth Generation) IR MOSFET (HEXFET trench)
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) 25 V —
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) 25 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 3.5 A —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 2.3 A —
Total Package Power Dissipation (PD) 2 W —
Корпус / Типоразмер 8-SOIC (SO-8) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 8 —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
RoHS Compliance Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Qualification Industrial —
Soldering Compatibility Vapor Phase, Infrared, Wave —
dv/dt Rating Dynamic (rated per datasheet) —
Configuration — Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 8 A
On-Resistance RDS(on) max — 17.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) — 0.0137 ohm (13.7 mOhm)
Total Gate Charge (Qg) — 24 nC
Power Dissipation (PD) — 2 W
Корпус — 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount
Рабочая температура — -55C to +150C (junction)
Typical Application — Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters
Статус RoHS — Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free — Yes
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену