IRF7306TRPBF vs FDS6575 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7306TRPBF par Infineon et FDS6575 par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7306TRPBF FDS6575
Marque Infineon onsemi
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,55 $0,28
Polarity P-Channel (dual) P-Channel
Number of Channels 2 (independent, in single package) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -3.6 A at 25°C -10 A
On-Resistance RDS(on) max 100 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Maximum Power Dissipation 2 W at TA = 25°C —
Technology HEXFET Power MOSFET (Generation V) PowerTrench (rugged gate)
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Boîtier 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width) SOIC-8 (SO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
Qualification Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet) —
Avalanche Rated Yes (ruggedized device per datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — -20 V
On-Resistance (RDS(on)) — 13 mOhm max at VGS = -4.5 V
Gate Drive Voltage Range — 2.5 V to 8 V
Tension de seuil de grille — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation — [DATA_NEEDED: power dissipation at TA]
Configuration — Single MOSFET
Gate Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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