IRF7306TRPBF vs IRF7416TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF7306TRPBF par Infineon et IRF7416TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF7306TRPBF | IRF7416TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,55 | $0,32 |
| Polarity | P-Channel (dual) | — |
| Number of Channels | 2 (independent, in single package) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -30 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -3.6 A at 25°C | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 100 mOhm at VGS = -10 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Maximum Power Dissipation | 2 W at TA = 25°C | — |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (Generation V) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +150°C (junction) | — |
| Boîtier | 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width) | 8-SO (SOIC-8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| RoHS Compliance | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) | — |
| Qualification | Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet) | — |
| Avalanche Rated | Yes (ruggedized device per datasheet) | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -10 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | -50 A |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 20 mOhm at VGS = -10 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1 V to -3 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 61 nC |
| Power Dissipation (PD) max at TA=25C | — | 2.5 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) | — | 50 C/W |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +150 C |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |