IRF7306TRPBF vs IRF7416TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF7306TRPBF メーカー: Infineon および IRF7416TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF7306TRPBF IRF7416TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.55 $0.32
Polarity P-Channel (dual) —
Number of Channels 2 (independent, in single package) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) -3.6 A at 25°C —
On-Resistance RDS(on) max 100 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Maximum Power Dissipation 2 W at TA = 25°C —
Technology HEXFET Power MOSFET (Generation V) HEXFET (IR MOSFET)
動作温度範囲 -55°C to +150°C (junction) —
パッケージ 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width) 8-SO (SOIC-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
RoHS Compliance Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
Qualification Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet) —
Avalanche Rated Yes (ruggedized device per datasheet) —
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -10 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -50 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 20 mOhm at VGS = -10 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -1 V to -3 V
Total Gate Charge (Qg) — 61 nC
Power Dissipation (PD) max at TA=25C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W
動作接合温度範囲 — -55 C to +150 C
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼