IRF7309TRPBF vs IRF8736TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7309TRPBF par Infineon et IRF8736TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7309TRPBF IRF8736TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,35 $0,27
Configuration Dual N-Channel + P-Channel (Complementary) Single
Polarity N+P —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) 4 A —
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) 3 A —
On-Resistance (N-channel, max) 50 mOhm —
On-Resistance (P-channel, max) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value] —
Power Dissipation (TA=25C) 1.4 W —
Technology IR HEXFET Generation V StrongIRFET / HEXFET
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (junction)
Boîtier 8-SO (SOIC-8) SO-8 (8-SO, MS-012AA)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Status Yes (TRPBF suffix = Pb-free) —
Statut RoHS Compliant —
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (TRPBF suffix)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 18 A
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C — 2.5 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 4.8 mOhm at VGS = 10V
Gate Charge (Qg) Typical — 17 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Avalanche Rated — Yes (fully characterized avalanche voltage)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis