IRF7319TRPBF vs IRF7389TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF7319TRPBF par Infineon et IRF7389TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF7319TRPBF | IRF7389TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,62 | $0,58 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Product Type | Dual MOSFET Array (N-channel + P-channel) | — |
| Technology | IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET | HEXFET Generation V (IR MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current N-channel (ID) | 6.5 A | — |
| Continuous Drain Current P-channel (ID) | 4.9 A | — |
| RDS(on) Max N-channel | 29 mOhm (per Infineon product page) | — |
| RDS(on) Max P-channel | [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) max] | — |
| Total Power Dissipation (PD) | 2 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient N-ch | 120 C/W (steady state) | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient P-ch | 110 C/W (steady state) | — |
| Package Type | 8-SOIC (SO-8) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix = Pb-free) | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| Configuration | N-Channel + P-Channel (complementary half-bridge) | Dual N+P Complementary Half-Bridge |
| Transistor Polarity | — | N and P Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (N-Ch, Id) | — | 7.3 A |
| Continuous Drain Current (P-Ch, Id) | — | -5.3 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 29 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) | — | 2.5 W |
| Boîtier | — | 8-SO (SOIC-8) |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead Free / RoHS | — | Lead Free / RoHS Compliant |
| Niveau MSL | — | 1 |