IRF7319TRPBF vs IRF7389TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF7319TRPBF от Infineon и IRF7389TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF - 30V Dual N/P-Channel MOSFET, 6.5A | Infineon

IRF7319TRPBF - 30V Dual N/P-Channel MOSFET, 6.5A | Infineon

IRF7319TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF - 30V Dual N/P HEXFET MOSFET Array | Infineon

IRF7389TRPBF - 30V Dual N/P HEXFET MOSFET Array | Infineon

IRF7389TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF7319TRPBF IRF7389TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,62 $0,58
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Product Type Dual MOSFET Array (N-channel + P-channel) —
Technology IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET HEXFET Generation V (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current N-channel (ID) 6.5 A —
Continuous Drain Current P-channel (ID) 4.9 A —
RDS(on) Max N-channel 29 mOhm (per Infineon product page) —
RDS(on) Max P-channel [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) max] —
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient N-ch 120 C/W (steady state) —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient P-ch 110 C/W (steady state) —
Package Type 8-SOIC (SO-8) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (junction) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = Pb-free) —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Configuration N-Channel + P-Channel (complementary half-bridge) Dual N+P Complementary Half-Bridge
Transistor Polarity — N and P Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (N-Ch, Id) — 7.3 A
Continuous Drain Current (P-Ch, Id) — -5.3 A
On-Resistance RDS(on) Max — 29 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 2.5 W
Корпус — 8-SO (SOIC-8)
Рабочая температура — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes
Lead Free / RoHS — Lead Free / RoHS Compliant
Уровень MSL — 1

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену