IRF7416TRPBF vs IRFH5020TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF7416TRPBF par Infineon et IRFH5020TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF7416TRPBF | IRFH5020TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,32 | $0,36 |
| FET Type | P-Channel | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -30 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | -10 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | -50 A | 63 A |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 20 mOhm at VGS = -10 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -1 V to -3 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 61 nC | — |
| Power Dissipation (PD) max at TA=25C | 2.5 W | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) | 50 C/W | — |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | -55 C to +150 C | — |
| Boîtier | 8-SO (SOIC-8) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | 1 (per industry standard for PQFN-8) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Product Family | — | HEXFET Power MOSFET |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 5.1 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 55 mΩ |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 11 nC |
| Power Dissipation (TA=25°C) | — | 3.6 W |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | — | 8.3 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) | — | 0.8 °C/W |
| Package Type | — | 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8 |
| Profile Height | — | ≤ 0.9 mm |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +150 °C (TJ max) |
| Qualification Standard | — | JEDEC (Normal level) |
| Gate Drive Optimization | — | 10 V VGS |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free suffix PBF) |