IRF7495TRPBF vs IRF7469TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF7495TRPBF par Infineon et IRF7469TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF7495TRPBF | IRF7469TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,65 | $0,37 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | IR MOSFET™ (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25 C | 7.3 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 22 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | 34 nC at 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) Max | 1530 pF at 25 V | — |
| Power Dissipation (PD) Max at TA=25 C | 2.5 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C (TJ) | -55°C to +150°C (Tj) |
| Boîtier | 8-SOIC (SO-8) | 8-SO (SOIC-8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | 1 (unlimited) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| Estimated EOL Date | 2027 | — |
| ECCN | EAR99 | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C | — | 9 A |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | — | 17 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 15 nC |
| Gate-Source Voltage (Vgs) Max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (Pd) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss] |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | [DATA_NEEDED: Qrr] |