IRF7495TRPBF vs IRF7469TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF7495TRPBF メーカー: Infineon および IRF7469TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF - 100V 7.3A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF7495TRPBF - 100V 7.3A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF7495TRPBF ✓ 生産中
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IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF - 40V N-Ch 9A 17mOhm SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7469TRPBF - 40V N-Ch 9A 17mOhm SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7469TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF7495TRPBF IRF7469TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.65 $0.37
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR MOSFET™ (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25 C 7.3 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 22 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ 34 nC at 10 V —
Input Capacitance (Ciss) Max 1530 pF at 25 V —
Power Dissipation (PD) Max at TA=25 C 2.5 W —
動作温度範囲 -55 C to +150 C (TJ) -55°C to +150°C (Tj)
パッケージ 8-SOIC (SO-8) 8-SO (SOIC-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (unlimited) 1 (unlimited)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Estimated EOL Date 2027 —
ECCN EAR99 —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C — 9 A
Rds(on) Max at Vgs=10V — 17 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C — 2.5 W
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
Channel Mode — Enhancement
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]

データシート&リソース

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