IRF7495TRPBF vs IRF7469TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7495TRPBF por Infineon e IRF7469TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7495TRPBF IRF7469TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,37
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR MOSFET™ (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25 C 7.3 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 22 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ 34 nC at 10 V —
Input Capacitance (Ciss) Max 1530 pF at 25 V —
Power Dissipation (PD) Max at TA=25 C 2.5 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (TJ) -55°C to +150°C (Tj)
Encapsulamento 8-SOIC (SO-8) 8-SO (SOIC-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (unlimited) 1 (unlimited)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Estimated EOL Date 2027 —
ECCN EAR99 —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C — 9 A
Rds(on) Max at Vgs=10V — 17 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C — 2.5 W
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes
Channel Mode — Enhancement
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]

Fichas técnicas e recursos

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