IRF8714TRPBF vs IRLL2705TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF8714TRPBF par Infineon et IRLL2705TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF8714TRPBF | IRLL2705TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,66 | $0,22 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Technology | HEXFET / StrongIRFET (planar MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 14 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 8.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] | — |
| Gate Charge (Qg) typical | 8.1 nC | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | -55 deg C to +175 deg C |
| Boîtier | SO-8 (8-SOIC) | SOT-223 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Lead-Free / RoHS | Lead-Free / RoHS Compliant | — |
| Niveau MSL | 1 (per Infineon package qualification) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | — | 3.8 A |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | — | 5.2 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 40 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 32 nC |
| Gate Drive Level | — | Logic-Level |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | — | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) |
| Dynamic dv/dt Rating | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |
| Statut RoHS | — | Compliant |