IRF8734TRPBF vs IRFH5015TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF8734TRPBF par Infineon et IRFH5015TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF8734TRPBF IRFH5015TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) IR MOSFET (HEXFET)
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.5 mOhm —
Gate Charge (Qg) typ 20 nC —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Boîtier / Format 8-SOIC (SO-8) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Avalanche Energy Rating Fully characterized avalanche voltage —
Statut RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Lead-free (PBF suffix) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating per J-STD-020] —
Packaging Tape & Reel (TR) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 33 nC
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
Boîtier — 8-PQFN (5x6) SuperSO8
Configuration — Single with built-in body diode
Température de fonctionnement — -55C to +150C (TJ max)

Fiches techniques et ressources

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