IRF8734TRPBF vs IRFH5015TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF8734TRPBF por Infineon e IRFH5015TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF8734TRPBF IRFH5015TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) IR MOSFET (HEXFET)
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.5 mOhm —
Gate Charge (Qg) typ 20 nC —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Encapsulamento / Caixa 8-SOIC (SO-8) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Avalanche Energy Rating Fully characterized avalanche voltage —
Status RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Lead-free (PBF suffix) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating per J-STD-020] —
Packaging Tape & Reel (TR) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 33 nC
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
Encapsulamento — 8-PQFN (5x6) SuperSO8
Configuration — Single with built-in body diode
Temperatura de operação — -55C to +150C (TJ max)

Fichas técnicas e recursos

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