IRF9Z34NPBF vs IRFR5505TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF9Z34NPBF par Infineon et IRFR5505TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF9Z34NPBF IRFR5505TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -19 A —
Pulsed Drain Current (Idm) -72 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V 100 milliohm (typical) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) 23.3 nC (per Mouser listing) —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C
Boîtier TO-220AB (through-hole, 3-pin) TO-252AA (DPAK), surface mount
Type de montage Through Hole Surface Mount
Pinout (G-D-S) Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source —
Technology HEXFET (5th generation) IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5)
Lead-Free / Halogen-Free Yes (PBF suffix) —
Statut RoHS Compliant —
Polarity — P-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
VGS (Gate-Source Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) — -18 A (Tc)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max — 110 mOhm (VGS = -10 V)
Total Gate Charge (Qg) — 21.3 nC
Power Dissipation (PD) — 57 W (Tc = 25 °C)
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: RθJC]
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Niveau MSL — 1

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