IRF9Z34NPBF vs IRFR5505TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF9Z34NPBF por Infineon e IRFR5505TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF9Z34NPBF IRFR5505TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -19 A —
Pulsed Drain Current (Idm) -72 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V 100 milliohm (typical) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) 23.3 nC (per Mouser listing) —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C
Encapsulamento TO-220AB (through-hole, 3-pin) TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Pinout (G-D-S) Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source —
Technology HEXFET (5th generation) IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5)
Lead-Free / Halogen-Free Yes (PBF suffix) —
Status RoHS Compliant —
Polarity — P-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
VGS (Gate-Source Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) — -18 A (Tc)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max — 110 mOhm (VGS = -10 V)
Total Gate Charge (Qg) — 21.3 nC
Power Dissipation (PD) — 57 W (Tc = 25 °C)
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: RθJC]
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Nível MSL — 1

Fichas técnicas e recursos

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