IRFB3207ZPBF vs IPB019N08N3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFB3207ZPBF par Infineon et IPB019N08N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFB3207ZPBF | IPB019N08N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,62 | $2,74 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Part Number | IRFB3207ZPBF | — |
| Series | HEXFET | OptiMOS 3 |
| Technology | N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 120 A | — |
| Silicon-Limited Drain Current | 170 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 3.3 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.1 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | TO-220AB (3-lead through-hole) | PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount) |
| Type de montage | Through Hole | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix = lead-free) | — |
| Niveau MSL | N/A (through-hole) | — |
| Avalanche Rated | Yes (improved Z-variant ruggedness) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | — | 180 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 1.9 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 3.5 V |
| Drive Voltage (Rds On Max) | — | 6 V, 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V | — | 206 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 14.2 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 3.84 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 3.84 nF |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Statut RoHS | — | Compliant |