IRFB4020PBF vs IRLS3036TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFB4020PBF par Infineon et IRLS3036TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFB4020PBF IRLS3036TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,38 $1,39
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR HEXFET (planar DMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 18 A —
Power Dissipation (PD) at TC 100 W —
RDS(on) Maximum 100 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum 20 V —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 1.43 C/W —
Température de jonction en fonctionnement 175 C (max) —
Boîtier TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263), surface mount
Type de montage Through Hole Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead-Free (PbF suffix) Yes —
Market Qualification Consumer —
Recommended Use Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 270 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — 195 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 1100 A
Rds(on) max @ Vgs=10V — 1.9 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — Logic level (see datasheet for exact value) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) typ — 91 nC
Gate-Source Voltage (Vgs) max — [DATA_NEEDED: Vgs max +/- V]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 380 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Niveau MSL — 1
Statut RoHS — Compliant (PBF suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Integrated Body Diode — Yes (avalanche rated)

Fiches techniques et ressources

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