IRFB4020PBF vs IRLS3036TRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFB4020PBF от Infineon и IRLS3036TRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF - 60V 270A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLS3036TRLPBF - 60V 270A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLS3036TRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFB4020PBF IRLS3036TRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,38 $1,39
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR HEXFET (planar DMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 18 A —
Power Dissipation (PD) at TC 100 W —
RDS(on) Maximum 100 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum 20 V —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 1.43 C/W —
Рабочая температура перехода 175 C (max) —
Корпус TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263), surface mount
Тип монтажа Through Hole Surface Mount
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead-Free (PbF suffix) Yes —
Market Qualification Consumer —
Recommended Use Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 270 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — 195 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 1100 A
Rds(on) max @ Vgs=10V — 1.9 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — Logic level (see datasheet for exact value) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) typ — 91 nC
Gate-Source Voltage (Vgs) max — [DATA_NEEDED: Vgs max +/- V]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 380 W
Диапазон рабочих температур — -55C to +175C
Уровень MSL — 1
Статус RoHS — Compliant (PBF suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Integrated Body Diode — Yes (avalanche rated)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену