IRFB4310PBF vs IRF3710STRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFB4310PBF par Infineon et IRF3710STRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFB4310PBF IRF3710STRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,95 $1,23
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET / IR MOSFET (planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 5.6 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Total Gate Charge (Qg) 170 nC 86.7 nC
Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55 C to +175 C
Boîtier TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263), surface mount
Type de montage Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Lead-Free Yes (Pb-free PBF suffix) Yes
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 57 A
On-Resistance RDS(on) max — 23 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) — 200 W
Tape & Reel Orientation — TRL (left)

Fiches techniques et ressources

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