IRFB4310PBF vs IRF3710STRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFB4310PBF por Infineon e IRF3710STRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFB4310PBF IRF3710STRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,95 $1,23
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET / IR MOSFET (planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 5.6 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Total Gate Charge (Qg) 170 nC 86.7 nC
Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55 C to +175 C
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263), surface mount
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Status RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Lead-Free Yes (Pb-free PBF suffix) Yes
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 57 A
On-Resistance RDS(on) max — 23 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) — 200 W
Tape & Reel Orientation — TRL (left)

Fichas técnicas e recursos

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