IRFB4310PBF vs IRF3710STRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFB4310PBF por Infineon y IRF3710STRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFB4310PBF IRF3710STRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,95 $1,23
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET / IR MOSFET (planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 5.6 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Total Gate Charge (Qg) 170 nC 86.7 nC
Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) -55 C to +175 C
Encapsulado TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263), surface mount
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Estado RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Lead-Free Yes (Pb-free PBF suffix) Yes
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 57 A
On-Resistance RDS(on) max — 23 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) — 200 W
Tape & Reel Orientation — TRL (left)

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