IRFB52N15DPBF vs IRFS52N15DPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFB52N15DPBF par Infineon et IRFS52N15DPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFB52N15DPBF | IRFS52N15DPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,65 | $2,15 |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 51 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 204 A | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 32 mOhm at VGS=10V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 60 nC (typical) | 60 nC (typical) |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 230 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| Package Type | TO-220AB (through-hole) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Technology | HEXFET (vertical DMOS, hexagonal cell) | HEXFET (Planar Cell) |
| Type de montage | Through Hole | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free Finish | Yes (Pb-free PBF suffix) | — |
| Qualification Standard | Industrial market (per IR/Infineon) | JEDEC |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | — | 51 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 32 mOhm |
| Gate-Source Charge (Qgs) | — | [DATA_NEEDED: Qgs] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss] |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | [DATA_NEEDED: Crss] |
| Power Dissipation (PD) @ TA=25C | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) @ TC=25C | — | 230 W |
| Boîtier | — | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |