IRFB7545PBF vs IRF1310NSTRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFB7545PBF par Infineon et IRF1310NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFB7545PBF | IRF1310NSTRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,95 | $0,84 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRFB7545PBF | — |
| Technology | StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Polarity | N-Channel | — |
| VDS (Drain-Source Voltage) max | 60 V | — |
| VGS (Gate-Source Voltage) max | ±20 V | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 5.9 mOhm | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 95 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 380 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Single-Pulse Avalanche Current (IAS) | 57 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 125 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | 1.0 C/W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | TO-220AB (Through-Hole) | D2PAK (TO-263AB) |
| Type de montage | Through Hole (THT) | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Lead-Free, PBF suffix) | Yes (PBF suffix) |
| Niveau MSL | N/A (Through-Hole) | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 42 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 36 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 73.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 160 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Built-in Diode | — | Yes (intrinsic body diode) |
| Configuration | — | Single with built-in diode |