IRFH5300TRPBF vs IRF7854TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFH5300TRPBF par Infineon et IRF7854TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFH5300TRPBF | IRF7854TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,45 | $0,48 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 40 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 336 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.4 mOhm | 13.4 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 50 nC | — |
| Power Dissition at TA=25C | 3.6 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 250 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55°C to +150°C (TJ) |
| Boîtier | PQFN-8 (5x6 mm) | SO-8 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (StrongIRFET) | HEXFET (planar N-channel) |
| Gate Drive Level | Logic-level (5V optimized) | — |
| JEDEC Qualification | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 10 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25°C | — | 2.5 W |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max | — | 4.9 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 27 nC |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix, lead-free) |
| Qualification | — | JEDEC industrial, Normal level |
| Solder Process | — | Reflow and wave-solderable |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |