IRFH5300TRPBF vs IRFH5301TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFH5300TRPBF par Infineon et IRFH5301TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFH5300TRPBF IRFH5301TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,45 $0,36
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 40 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 336 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Total Gate Charge (Qg) 50 nC 37 nC (typical)
Power Dissition at TA=25C 3.6 W —
Power Dissipation at TC=25C 250 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Boîtier PQFN-8 (5x6 mm) PQFN (5x6 mm) Single Die
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (StrongIRFET) HEXFET (StrongIRFET)
Gate Drive Level Logic-level (5V optimized) —
JEDEC Qualification Yes —
Statut RoHS Compliant —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (TA, 25C) — 35 A
Continuous Drain Current (TC, 25C) — 100 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.85 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (TA) — 3.6 W
Power Dissipation (TC) — 110 W
Gate Drive Logic Level — Optimized for 5 V VGS drive
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Halogen-free
Qualification — JEDEC standard

Fiches techniques et ressources

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