IRFH5300TRPBF vs IRFH5301TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFH5300TRPBF por Infineon e IRFH5301TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFH5300TRPBF IRFH5301TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,45 $0,36
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 40 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 336 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Total Gate Charge (Qg) 50 nC 37 nC (typical)
Power Dissition at TA=25C 3.6 W —
Power Dissipation at TC=25C 250 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Encapsulamento PQFN-8 (5x6 mm) PQFN (5x6 mm) Single Die
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (StrongIRFET) HEXFET (StrongIRFET)
Gate Drive Level Logic-level (5V optimized) —
JEDEC Qualification Yes —
Status RoHS Compliant —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (TA, 25C) — 35 A
Continuous Drain Current (TC, 25C) — 100 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.85 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (TA) — 3.6 W
Power Dissipation (TC) — 110 W
Gate Drive Logic Level — Optimized for 5 V VGS drive
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Halogen-free
Qualification — JEDEC standard

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação