IRFH7084TRPBF vs IRFH8201TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFH7084TRPBF par Infineon et IRFH8201TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFH7084TRPBF IRFH8201TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,45 $1,05
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) StrongIRFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (TJ) -55C to +150C
Boîtier 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 324 A
RDS(on) max at VGS=10V — 0.95 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.35 V max
Total Gate Charge (Qg) — 56 nC at VGS=10V
Output Capacitance (Coss) — 7.33 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 850 pF
Power Dissipation (TA) — 3.6 W
Power Dissipation (TC) — 156 W

Fiches techniques et ressources

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