IRFH7084TRPBF vs IRFH8201TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFH7084TRPBF por Infineon e IRFH8201TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFH7084TRPBF IRFH8201TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,45 $1,05
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) StrongIRFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (TJ) -55C to +150C
Encapsulamento 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Status RoHS Compliant Compliant
Livre de halogênio Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 324 A
RDS(on) max at VGS=10V — 0.95 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.35 V max
Total Gate Charge (Qg) — 56 nC at VGS=10V
Output Capacitance (Coss) — 7.33 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 850 pF
Power Dissipation (TA) — 3.6 W
Power Dissipation (TC) — 156 W

Fichas técnicas e recursos

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